Shop : Details
Shop
Details
Saleh Ferwana
Dreidimensionale Aufbautechnik ultradünner Silizium Chips mit vertikaler Durchkontaktierung
Die dreidimensionale (3D-)Integration mit vertikalen Durchkontaktierungen (eng. TSV: Through Silicon Vias) ist eine vielversprechende Methode, um eine kompakte, platzsparende und zuverlässige Integration von Chips zu erreichen. Für die 3D-Integration sind dünne Chips mit einer Dicke kleiner 50 µm gut geeignet, um kurze elektrische Verbindungen und geringe Aufbauhöhen zu erlangen. Sie ermöglichen die Herstellung von Durchkontaktierungen mit kleinen Durchmessern und hohem Aspektverhältnis.
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde ein neuartiges Konzept für die Stapelung ultradünner ChipFilmTM-Chips mit vertikalen Durchkontaktierungen erstellt und realisiert. Die Durchkontaktierungen wurden nach der Metallisierung hergestellt (sog. Via-Last). Die folgenden drei wesentlichen Hauptteile wurden ausführlich untersucht:
Untersuchung der elektrischen Eigenschaften gesinterter und ungesinterter poröser Siliziumschichten (PS-Schichten) und des Verhaltens von porösen Siliziumschichten bei der Passivierung durch thermische Oxidation.
Herstellung von vertikalen Durchkontaktierungen in ChipFilmTM-Membranwafern mit Hilfe eines neuartigen selbstjustierten Via-Ätzprozesses. Stapelung von ultradünnen ChipFilmTM-Chips auf Siliziumwafern und die Charakterisierung der elektrischen Eigenschaften der dabei hergestellten Durchkontaktierungen anhand eines Daisy-Chain-Designs.
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde ein neuartiges Konzept für die Stapelung ultradünner ChipFilmTM-Chips mit vertikalen Durchkontaktierungen erstellt und realisiert. Die Durchkontaktierungen wurden nach der Metallisierung hergestellt (sog. Via-Last). Die folgenden drei wesentlichen Hauptteile wurden ausführlich untersucht:
Untersuchung der elektrischen Eigenschaften gesinterter und ungesinterter poröser Siliziumschichten (PS-Schichten) und des Verhaltens von porösen Siliziumschichten bei der Passivierung durch thermische Oxidation.
Herstellung von vertikalen Durchkontaktierungen in ChipFilmTM-Membranwafern mit Hilfe eines neuartigen selbstjustierten Via-Ätzprozesses. Stapelung von ultradünnen ChipFilmTM-Chips auf Siliziumwafern und die Charakterisierung der elektrischen Eigenschaften der dabei hergestellten Durchkontaktierungen anhand eines Daisy-Chain-Designs.
Schlagwörter: 3D-Integration; ultradünne Chips; ChipFilm Technologie; vertikale Durchkontaktierung; through silicon via (TSV)
Verfügbare Online-Dokumente zu diesem Titel
DOI 10.2370/9783844057928
Sie benötigen den Adobe Reader, um diese Dateien ansehen zu können. Hier erhalten Sie eine kleine Hilfe und Informationen, zum Download der PDF-Dateien.
Bitte beachten Sie, dass die Online-Dokumente nicht ausdruckbar und nicht editierbar sind.
Bitte beachten Sie auch weitere Informationen unter: Hilfe und Informationen.
Bitte beachten Sie auch weitere Informationen unter: Hilfe und Informationen.
| Dokument |  | Gesamtdokument | ||
| Dateiart |  | |||
| Kosten |  | 36,60 € | ||
| Aktion |  | Zahlungspflichtig kaufen und download der Datei | ||
| Dokument |  | Inhaltsverzeichnis | ||
| Dateiart | | |||
| Kosten |  | frei | ||
| Aktion |  | Download der Datei | ||
Benutzereinstellungen für registrierte Online-Kunden (Online-Dokumente)
Sie können hier Ihre Adressdaten ändern sowie bereits georderte Dokumente erneut aufrufen.
Benutzer
Nicht angemeldet
Export bibliographischer Daten
Shaker Verlag GmbHAm Langen Graben 15a52353 Düren
Mo. - Do. 8:00 Uhr bis 16:00 UhrFr. 8:00 Uhr bis 15:00 Uhr
Kontaktieren Sie uns. Wir helfen Ihnen gerne weiter.
