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Rezensionsexemplar
978-3-8440-3495-0
48,80 €
ISBN 978-3-8440-3495-0
Paperback
194 Seiten
38 Abbildungen
287 g
21 x 14,8 cm
Deutsch
Dissertation
März 2015
Christian Strenger
Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Herstellung und der Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldefekttransistoren auf der Siliciumseite von 4H-Siliciumcarbid (4H-SiC).
Schlagwörter: Transistor; SiC; EELS; MOSFET
Erlanger Berichte Mikroelektronik
Herausgegeben von Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel und Prof. Dr. rer. nat. L. Frey, Erlangen
Band 2015,2
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