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Weiterempfehlung
978-3-8265-9708-4
47,00 €
ISBN 978-3-8265-9708-4
Paperback
180 Seiten
90 Abbildungen
267 g
21 x 14,8 cm
Deutsch
Dissertation
Januar 2002
Jochen Hilsenbeck
GaN-basierende Feldeffekttransistoren für die Hochtemperatur- und Hochleistungselektronik
Schlagwörter: GaN; Halbleitertechnik; FET; Feldeffekttransistor; HFET; Hochtemperaturelektronik; Leistungselektronik
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